Nowe 20x szybsze pamięci HMC od Micron
Micron zaprezentował na konferencji Hot Chips postępy badań nad nowymi pamięciami RAM, nazwanymi HMC (Hybrid Memory Cube), które według producenta zapewniają dwadzieścia razy większą wydajność niż dzisiejsze moduły DDR3. Próbki pokazane przez Micron osiągnęły przepustowość na poziomie 128 GB/s, czyli 10 razy większą niż DDR3 (do 12.8 GB/s). Producent zapewnia, że kiedy pojawi się końcowa wersja moduły HMC osiągną 20x większą przepustowość niż obecne pamięci przy wykorzystaniu jedynie 10 % energii potrzebnej do ich zasilenia. Układy Hybrid Memory Cube wykorzystują specjalną technologię połączeń - ścieżki między warstwami są możliwie jak najkrótsze i wykonane za pomocą TSV (Through-Silicon Via), dzięki której sygnały szybciej „płyną” przez krzem. Wykorzystując "trójwymiarową" konstrukcję Micron chwali się, iż technologia HMC oszczędzi do 90 % energii w stosunku do tradycyjnych modułów RDIMM.
Duża liczba połączeń TSV i ich możliwie najkrótsze odległości są kluczem do wysokiej przepustowości pamięci HMC, zaś producent wiąże z tym rozwiązaniem wielkie nadzieje. Niestety, zabrakło jakichkolwiek konkretów kiedy HMC mogłyby trafić na rynek. Polecamy przy okazji obejrzenie niżej zamieszczonego filmiku:
Źródło: TechConnect
Powiązane publikacje

V-Color ustanawia nowy rekord świata w podkręcaniu pamięci DDR5. Osiągnięto oszałamiającą prędkość transferów
16
Micron i NVIDIA łączą siły. Nowe pamięci HBM3E i SOCAMM dla centrów danych i AI
5
SK hynix prezentuje na NVIDIA GTC 2025 przełomowe technologie pamięci przeznaczone dla AI
1
Micron zaprezentował proces technologiczny 1γ. Rozwiązanie jest już wykorzystywane do produkcji pamięci DDR5
24