SK hynix prezentuje pamięci LPDDR5T, najszybsze obecnie mobilne pamięci DRAM oznaczone dopiskiem Turbo

SK hynix, południowokoreański producent półprzewodników znany głównie z produkcji pamięci typu DRAM oraz FLASH zaprezentował pamięci typu LPDDR5T, które jak twierdzi producent, są obecnie najszybszymi pamięciami dla szeroko pojętych urządzeń mobilnych. Zaprezentowana pamięć operuję z prędkością 9,6 gigabita na sekundę (Gbps), co jest wynikiem o 13% wyższym aniżeli produkt poprzedniej generacji SK hyniksa (LPDDR5X).

SK hynix, południowokoreański producent półprzewodników znany głównie z produkcji pamięci typu DRAM oraz FLASH zaprezentował pamięci typu LPDDR5T, które jak twierdzi producent, są obecnie najszybszymi pamięciami dla szeroko pojętych urządzeń mobilnych.

Test pamięci RAM DDR5 Corsair Dominator Platinum RGB 7200 MHz CL34 - Jaka wydajność z procesorem Intel Core i5-13600K?

Zaprezentowana pamięć operuje z prędkością 9,6 gigabita na sekundę (Gbps), co jest wynikiem o 13% wyższym aniżeli produkt poprzedniej generacji SK hyniksa (LPDDR5X). Produkt działa w zakresie napięć od 1,01 do 1,12 V, co odpowiada parametrom przyjętym w normie JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council), co więcej – poza zapewnianymi przez producenta ponadprzeciętnymi prędkościami, pamięć ta ma cechować się również wyjątkowo niskim zapotrzebowaniem na energię – cechą również niezwykle istotną w pamięci dedykowanej rozwiązaniom mobilnym. SK hynix planuję rozpocząć masową produkcję pamięci w drugiej połowie bieżącego roku, wykorzystując tzw. „1anm”, co oznacza czwartą generację pamięci DRAM w litografii 10 nm koreańskiego producenta. Pamięć produkowana będzie przy użyciu zintegrowanego procesu HKMG (High-K Metal Gate).

Test pamięci DDR5 Patriot Viper Venom 6200 MHz CL40 - Dobra wydajność i spore możliwości podkręcania

Odbiorcy otrzymali już sample 16-gigabajtowych „multi-chipów”, czyli zintegrowanych w pakiet wielu układów LPDDR5T. Tak zintegrowany produkt, wedle zapewnień producenta, jest zdolny do przesyłania 77 GB danych na sekundę, co wydaję się być naprawdę imponującą wartością – szczególnie biorąc pod uwagę niskoenergetyczne zastosowania mobilne. Prezentację nowej pamięci, szef planowania produktów SK hynix skomentował w następujących słowach: „Z dostarczeniem LPDDR5T, marka spełniła oczekiwania klientów n.t. ultrawydajnych produktów” oraz zapewnił iż „Będziemy kontynuowali pracę nad rozwojem technologii, aby być wiodącym producentem półprzewodników nowej generacji oraz stać się game-changerem w świecie IT”. Jako ciekawostkę warto zaznaczyć, iż producent już w samej nazwie swojego produktu chciał wyraźnie zaakcentować nacisk na najwyższą wydajność, gdyż literka „T” w skrócie LPDDR5T oznacza po prostu „turbo” (Low Power Double Data Rate 5 Turbo).