Firma SK hynix również zaprezentowała pamięć GDDR7 na GTC 2024 o gęstości do 24 Gb oraz szybkości do 40 Gbps

Wczoraj pisaliśmy o firmie Samsung, która na konferencji GTC 2024 prezentuje swoje pamięci VRAM nowej generacji w postaci kości GDDR7. Okazuje się, że nie jest to jedyne przedsiębiorstwo, które przywiozło na wydarzenie swoje najnowsze rozwiązania. Drugą firmą jest SK hynix, notabene także południowokoreański producent. SK hynix nie tylko zaprezentował kości GDDR7, ale również chwali się parametrami swoich kostek. Te wyglądają optymistycznie.

Na wydarzeniu GTC 2024 nie tylko Samsung zaprezentował swoje kości pamięci typu GDDR7, ale także SK hynix. Koreańskie przedsiębiorstwo przy okazji pochwaliło się parametrami, nad którymi obecnie trwają prace.

Samsung po cichu zaprezentował pamięci GDDR7, które trafią na pokład kart graficznych NVIDIA GeForce RTX 50

Podczas GTC 2024, firma SK hynix zapowiedziała, iż opracowywane są obecnie kości o gęstości od 16 do 24 Gb. W przypadku gęstości 16 Gb, mowa o modułach z pojemności 2 GB na każdy taki moduł. Przy zachowaniu 256-bitowej magistrali (przykładowo) w karcie graficznej, pamięć będzie zatem ograniczona do 16 GB (8 kości po 2 GB każdy). SK hynix wprowadzi jednak również (choć w późniejszym czasie) moduły GDDR7 o gęstości 24 Gb, co pozwoli na przygotowanie 3 GB kostek VRAM. Przy tej samej magistrali (256-bit), ilość pamięci zwiększy się wówczas z 16 do 24 GB (przy zachowaniu 8 modułów po 3 GB każdy). Analogiczne podobne zmiany w budowie VRAM będą widoczne przy innych szynach pamięci dla kart graficznych.

SK hynix kolejną firmą, która rozpoczęła masową produkcję pamięci HBM3e. Jej przeznaczeniem będą układy NVIDIA B200

Przypominamy również, iż według oficjalnej specyfikacji JEDEC, kości GDDR7 w przyszłości zaoferują także znacznie większą gęstość rzędu 48 Gb a nawet 64 Gb, co pozwoli na tworzenie znacznie pojemniejszych konfiguracji dla VRAM-u. SK hynix potwierdza również, iż opracowywane moduły GDDR7 zaoferują szybkość do 40 Gbps, co przełoży się na przepustowość 160 GB/s dla każdego modułu pamięci. Dla porównania przy szybkości 32 Gbps, które opracowuje chociażby Samsung, przepustowość sięga 128 GB/s.